VLSIシンポジウム2024プレビュー 第3回 メモリ分野では新型NVDRAMやNVSRAM、新構造3D NANDなどが登場
マイナビニュース / 2024年5月9日 6時28分
SK hynixは、セレクタオンリーメモリ(SOM)のスイッチング特性のメカニズムを解明したことを報告する。このメカニズムをTCADシミュレーションに組み込むことで、コア回路設計と書き込み/読み取りスキームに基づいた先進的な材料・プロセス開発が可能となり、Compute Express Link(CXL)メモリ向け16nmハーフピッチSOMの開発に成功したとする。また、750mVの読み取りウィンドウマージンと製品レベルのRaw Bit Error Rate(RBER:訂正回路で誤り訂正する前の不正ビット数)を達成するとともに、200ppmのRBERの条件下において、リードディスターブ、高温リテンション特性(>10年@125℃)といった信頼性も確認したとする。
○十分なリテンション特性を有するHZO系材料を用いた不揮発性SRAMをソニーなどが発表
HZO-based Nonvolatile SRAM Array with 100% Bit Recall Yield and Sufficient Retention Time at 85°C(論文番号:T2-1)
ソニーセミコンダクタソリューションズは、フラウンホーファー研究機構および独NaMLabと共同で、厚さ10nm以下のHfZrOx(HZO)を含む金属/強誘電体/金属キャパシタを用いた16kビット規模の不揮発性SRAMアレイを試作したことを報告する。
この強誘電キャパシタの製造プロセスは過去に報告されたFeRAMと同じものであり、同一チップ上に不揮発性SRAMとFeRAMを形成。ロバストなデータ復帰シーケンスを用いることで、一連の不揮発データ保存、供給電源の切断、データ復帰動作を完全に実行し、測定温度85℃において電源切断200秒後でも100%のビットリコール動作を実現したという。この結果は、HZO系材料を用いた不揮発性SRAMとFeRAMのハイブリットメモリシステムによって、エッジコンピューティングの低消費電力化が可能となることを示唆するものとなるという。
(服部毅)
-
- 1
- 2
外部リンク
この記事に関連するニュース
-
マイクロン、AIデータセンターに求められるメモリを業界に先駆け、出荷開始
PR TIMES / 2024年5月18日 21時40分
-
VLSIシンポジウム2024プレビュー 第8回 有線通信回路分野と光送受信回路分野の注目論文
マイナビニュース / 2024年5月17日 6時57分
-
VLSIシンポジウム2024プレビュー 第6回 プロセッサ/AI半導体/メモリアーキテクチャ分野の注目論文
マイナビニュース / 2024年5月15日 6時40分
-
VLSIシンポジウム2024プレビュー 第4回 次世代技術となる高密度2.5D実装や次世代3Dトランジスタ積層を目指す研究
マイナビニュース / 2024年5月10日 6時31分
-
VLSIシンポジウム2024プレビュー 第2回 超微細化に向けた取り組みが多数発表されるプロセス・デバイス技術
マイナビニュース / 2024年5月8日 6時27分
ランキング
-
1AIの急速な導入がWindowsの予定を変えた!? Windows 12がすぐには出ない可能性
ASCII.jp / 2024年6月2日 10時0分
-
2「LUMIX S9」のストックフォト問題は何がいけなかったのか?
ITmedia NEWS / 2024年6月2日 7時20分
-
3「体に悪そうな味こそ正義」 4万4000いいね超の「グレートチーズバーガー」を試したら"パワー”を感じた
ねとらぼ / 2024年5月31日 13時0分
-
4exeファイルをExcelファイルに見せかけてマルウェアを展開するサイバー攻撃に注意
マイナビニュース / 2024年5月31日 13時12分
-
5Rakuten最強プランと楽天市場のデビューで、最大2万円相当を進呈 6月14日9時59分まで
ITmedia Mobile / 2024年6月1日 18時17分
記事ミッション中・・・
記事にリアクションする
記事ミッション中・・・
記事にリアクションする
エラーが発生しました
ページを再読み込みして
ください