VLSIシンポジウム2024プレビュー 第2回 超微細化に向けた取り組みが多数発表されるプロセス・デバイス技術

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プロセス・デバイス技術分野で最多採択は韓国の24件

VLSIシンポジウム 2024におけるプロセス・デバイス技術分野(従来のVLSI Technology Symposium)の応募件数は355件。採択件数は94件で採択率24％。地域・国別で見ると、韓国が24件で最多、次いで中国の22件、欧州14件、台湾および日本の10件、シンガポール5件と続いている。発表機関別では、Samsung Electronicsが前回の8件から倍増の16件でトップ。2位はimecの10件で3位は韓KAISTならびに国立シンガポール大学の各5件と続いている。日本勢で複数採択されたのは東京大学の3件、キオクシアならびにソニーセミコンダクタソリューションズの各2件の3機関。ちなみにRapidusに技術提供を行っているIBMは2件(昨年はゼロ)となっている。

全94件の一般講演の中で、特に注目されるのは以下の9件だろう。

3nmプラットフォーム(Intel)
最小ゲートピッチ48nmの3D CFET向け裏面コンタクト技術(Samsung)
2nm以降の裏面電源供給技術(IBM)、
MoS2チャネルを用いたスケーリングトランジスタ(TSMC)
ワード線エアギャップとチャージトラップ層を分断する3D NAND(Micron)
4F2高密度32GビットNVDRAM(Micron)
ハーフピッチ16nmで集積されたCXL向け大容量セレクターオンメモリ(SK hynix)
極薄In2O3と厚膜In2O3ゲート電極で構成される全酸化物材料トランジスタ(Purdue Univ./Samsung)
熱影響を考慮したオングストローム世代のPPA性能評価(imec)

以下、VLSIシンポジウム委員会が厳選したデバイス・プロセス分野の11件の注目論文を紹介したい。
先端CMOSロジック分野の注目論文
○先端CMOS:IntelがIntel 3トランジスタ技術を発表

An Intel 3 Advanced FinFETPlatform Technology for High Performance Computing and SOC Product Applications(論文番号:T1-1)

IntelはFinFETプロセスを最適化し、Intel 4に比べて面積を10％縮小しつつ、トランジスタの性能改善、配線プロセス最適化、設計・製造協調最適化により15％の性能向上と信頼性改善を果たしたIntel 3プラットフォームを発表する。